如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2016年2月18日 大家运用去掉碳化硅杂质的办法中大家运用的最遍及的即是酸碱法： ①首要来讲碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。 这么能够很洁净方便的去掉碳化
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2020年2月12日 一、化学除铁工艺——酸浸法 碳化硅微粉中的铁杂质主要以单质铁及其氧化物化铁的形式存在。因为单质铁及其三氧化铁均溶于硫酸、硝酸、盐酸等，生成可溶性铁盐通过加水洗涤可以去除。 茆福炜用盐酸来处碳化硅微粉，通过比较盐酸浓度及反应温度对除铁率
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2022年5月11日 绿碳化硅微粉中的铁杂质 主要以单质铁及其氧化物化铁的形式存在。因为单质铁及其三氧化铁均溶于硫酸、硝酸、盐酸等，生成可溶性铁盐通过加水洗涤可以去除。用盐酸来除碳化硅微粉，通过比较盐酸浓度及反应温度对除铁率的影响，然后得到
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2019年5月7日 技术实现要素： 本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃
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2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。
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碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
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2015年3月4日 但是并不是每个事物都是完美的， 碳化硅 产品也是如此，特别是，西北冶炼碳化硅原块过程中，不可避免的会产生一些杂质。 举例：碳化硅中的三氧化二铁作为杂质在其应用方面就有不利的影响，特别是在 碳化硅 微粉在各个领域中的广泛应用也有很大的影响
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2015年2月2日 碳化硅晶体中的杂质是：铁、铝、钙、镁、硅等的氧化物和碳化物，以及它们的共熔物。 这些杂质在冶炼炉热动力条件下，温度在2100——2200℃时被蒸发排出去，移动进入到炉体中温度较低的区域，只有少部分的碳化物以结晶状态掺入到碳化硅晶体的晶格中，形成片状的细小结晶。
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2023年4月19日 [求助] 如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量铁杂质 现在的原料主要成分是硅和碳化硅的混合物，里面含有少量铁杂质，怎样 除去铁，请各位赐教，谢谢。 回复此楼 » 收录本帖的淘贴专辑推荐 科研、投稿中可能遇到的小问题 » 猜你喜欢
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2015年10月14日 物理触铁法：碳化硅微粉中的铁元素可以使用物理法除铁，可以使用磁选机设备选出微分中存在的铁，从而达到除铁效果，但是这种方法效果并不是特别好。 还有就是直接在磨粉设备中解决，生产的SX88型超细磨粉机设备使用新工艺，细度可在5005000目可调，专业的 碳化硅微粉 磨粉机设备，其中
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2017年11月4日 想要去除其杂质就要对其进行酸洗，主要步骤有： 首先，碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质，这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次
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碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
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2015年3月4日 但是并不是每个事物都是完美的， 碳化硅 产品也是如此，特别是，西北冶炼碳化硅原块过程中，不可避免的会产生一些杂质。 举例：碳化硅中的三氧化二铁作为杂质在其应用方面就有不利的影响，特别是在 碳化硅 微粉在各个领域中的广泛应用也有很大的影响
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2021年11月29日 此外，最小化生长在碳化硅上的氧化物中的金属杂质至关重要，因为铁、镍和其他金属被认为会降低栅极氧化物(的本征寿命。 因此，监测这些金属的碳化硅加工水平相当于适当的硅技术节点；在这种情况下，用于180纳米节点的ITRS FEP规范预计是足够的。
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2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制
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2013年10月21日 想要去除其杂质就要对其进行酸洗，主要步骤有： 首先，碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质，这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次
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2019年4月16日 首先，碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质，这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次，碳化硅的碱洗。 碳化硅的碱洗通常是在加热的条件下
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2019年9月5日 第三代半导体材料：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点，适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。 第三代半导体材料可以满足现代社
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2022年9月13日 工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于研磨材料和耐火材料；绿色碳化硅，代号TL，用于研磨材料和耐火材料，也可用来制造电阻元件(如硅碳棒)等；矾土碳化硅
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2019年6月29日 1、过滤法 原理：把不溶于液体的固体与液体通过过滤而分开的方法称为过滤法。 如：氯化钙中含有少量碳酸钙杂质，先将混合物加水溶解，由于氯化钙溶于水，而碳酸钙难溶于水，过滤除去杂质碳酸钙，然后蒸发滤液，得到固体氯化钙。 如果要获得杂质碳
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2021年11月29日 此外，最小化生长在碳化硅上的氧化物中的金属杂质至关重要，因为铁、镍和其他金属被认为会降低栅极氧化物(的本征寿命。 因此，监测这些金属的碳化硅加工水平相当于适当的硅技术节点；在这种情况下，用于180纳米节点的ITRS FEP规范预计是足够的。
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2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制
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2019年4月16日 首先，碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质，这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次，碳化硅的碱洗。 碳化硅的碱洗通常是在加热的条件下
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2019年4月5日 3)湿法清洗：使用清洗剂包括浓硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、双氧水、去离子水中的至少一种，清洗温度为20～150℃；清洗过程中可配合超声或兆声波清洗。 4)将清洗干净的碳化硅晶片进行表面杂质的测试，合格的产品进行封装。 按照上述方法对碳
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2022年9月13日 工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于研磨材料和耐火材料；绿色碳化硅，代号TL，用于研磨材料和耐火材料，也可用来制造电阻元件(如硅碳棒)等；矾土碳化硅
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2019年12月10日 杂质扩散一般是将半导体晶片放入精确控制的高温石英管炉中，通过带有需扩散杂质的混合气体而完成，扩散进入半导体的杂质原子数目和 混合气体的杂质分压有关。对于硅的扩散而言，常用的温度范围
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2020年1月14日 国内也相继开展了碳化硅单晶生长研究，主要包括山东大学、中国科学院物理研究所、中国科学院硅酸盐研究所、中国电子科技集团公司第46研究所等单位。 以相关的技术为基础，能批量生产SiC单晶衬底的公司包括：山东天岳先进材料科技有限公司、北京天
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2021年3月16日 3、吹氧后的杂质如何去除？ 首先看炼钢的整个过程 我们刚才说的吹氧是冶炼的其中一步，在完成脱碳冶炼后，会在出钢时添加铁合金和脱氧剂，防止铁水氧化，同时刚才反应出来的氧化物大部分到了钢水表面的炉渣，它们浮在钢水的表层，控制好出钢的炉口大小可以有效防止炉渣混入。
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2011年3月22日 分析方法本方法为质量分析法,适用于炭素行业碳化硅含量大于10%产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳,加入硝酸、硫酸、氢氟酸,之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过残留物质为碳化硅,经
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2020年12月24日 合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主要成分的脉石英或石英砂与以C为主要成分的石油焦，低档次的碳化硅可用地灰分的无烟煤为原料。辅助原料为木屑和食盐。碳化硅有黑、绿两种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量
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2022年9月13日 工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于研磨材料和耐火材料；绿色碳化硅，代号TL，用于研磨材料和耐火材料，也可用来制造电阻元件(如硅碳棒)等；矾土碳化硅
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2021年3月16日 3、吹氧后的杂质如何去除？ 首先看炼钢的整个过程 我们刚才说的吹氧是冶炼的其中一步，在完成脱碳冶炼后，会在出钢时添加铁合金和脱氧剂，防止铁水氧化，同时刚才反应出来的氧化物大部分到了钢水表面的炉渣，它们浮在钢水的表层，控制好出钢的炉口大小可以有效防止炉渣混入。
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2020年6月8日 清洗的作用 1在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗
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2020年12月24日 合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主要成分的脉石英或石英砂与以C为主要成分的石油焦，低档次的碳化硅可用地灰分的无烟煤为原料。辅助原料为木屑和食盐。碳化硅有黑、绿两种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量
2016年3月26日 以下主要综述晶体硅材料中碳、氧、硼、磷等杂质元素、基体金属杂质、表面金属杂质分析方法研究进展。 1 碳、氧、硼、磷等杂质元素的分析方法11 红外光谱法碳、氧、硼、磷等杂质元素分析方法主要有红外光谱法、二次离子质谱法、质子活化分析法、气相
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2020年6月12日 纯净的碳化硅是无色透明的，但工业生产的碳化硅由于其中存在游离碳、铁、硅等杂质，产品有黄、黑、墨绿、浅绿等不同色泽，常见的为浅绿和黑色。碳化硅的相对分子质量为4009,其中硅占7004%，碳占29964。真密度321。熔点(升华)2600℃。
2017年1月12日 打铁可以去除铁里的杂质。碳就是一种很典型的杂质，因为碳的存在，影响了铁的硬度，打铁匠为了能去除铁里面的杂质，一般会将铁块放在高温的环境下，杂质碳因为承受不了高温环境，就结合空气中的氧气变成二氧化碳散去。 打铁匠为了防止碳杂质跑的不够彻底，继续拿着铁锤去继续敲打铁块
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2023年5月4日 化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。
2021年12月1日 因此，碳化硅的碳和硅表面的表面终止明显不同于纯氢终止。 硅和碳化硅表面之间的反应能量学的差异为理解不同的高频蚀刻表面产物提供了关键的见解。如图4所示，在Si面和c面碳化硅表面去除表面OH(由F取代)的活化能明显高于Si表面(分别
